Новые МОП-транисторы от Alpha и Omega Semiconductor

14.11.2020
Редактор: Елизавета Виноградова

Alpha and Omega Semiconductor (AOS), мировой разработчик и поставщик широкого спектра силовых полупроводников и интегральных схем, 10 ноября этого года объявили о выпуске серии αMOS5™ – быстропереключаемых полевых МОП-транзисторов с подачей напряжения 600 В в безвыводном SDM-корпусе (для монтажа на плате) TOLL.

Саннивейл, Калифорния

10 ноября 2020 г.


Серия αMOS5 – это высоковольтный полевой транзистор AOS последнего поколения, предназначенный для удовлетворения требований высокой эффективности и высокой плотности для быстродействующих зарядных устройств, адаптеров, блоков питания ПК, серверов, производственных блоков питания, устройств телекоммуникаций и гипермасштабируемых центров обработки данных.


 Площадь основания составляет всего 115 мм², что на 23% меньше, чем у транзисторов серии D2PAK, толщина корпуса составляет 2,3 мм, что почти на 50% меньше по сравнению с толщиной D2PAK. Существенное снижение паразитной индуктивности выводов корпуса TOLL позволяет достичь большей эффективности работы силовой электроники, снизить количество электромагнитных помех, а также обеспечивает простоту использования.

Первый транзистор серии αMOS5 в корпусе TOLL, обеспечивающий быстрое переключение, подачу напряжения 600 В и сопротивление 125 мОм, выйдет под серийным номером – AOTL125A60. Следующие транзисторы серии αMOS5 в корпусе TOLL будут иметь более широкий диапазон сопротивления открытого канала Rds (on) для устройств в диапазоне мощностей от 200 Вт до 3 кВт.


Кроме того, новые транзисторы, обеспечивая выработку тока до 100 А в устройствах с сопротивлением 125 МОм, соответствуют требованиям к современным преобразовательным устройствам средней и высокой мощности. Возможность автоматизированного оптического контроля (AOI) и увеличенная площадь контакта пайки транзисторов также помогают повысить как надежность самой системы, так и надежность функционирования на уровне плат источников питания длительного срока службы.


Кроме того, в транзисторах встроено управление затвором через соединение Кельвина, что значительно улучшает характеристики переключения и снижает потери благодаря наличию дополнительных силовых выводов и выводов управления.

Источник: http://www.aosmd.com/