Новые высокоскоростные КМОП-структурные полупроводники на 8 Гб – AS4C1G8D4, AS4C512M16D4

29.10.2020
Редактор: Виктор Ночной
Новые высокоскоростные КМОП-структурные полупроводники на 8 Гб – AS4C1G8D4, AS4C512M16D4

Alliance Memory разработали два новых устройства с увеличенной производительностью оперативной памяти 8 Гб – AS4C1G8D4, AS4C512M16D4.

Чтобы удовлетворить растущий спрос на КМОП-структурные полупроводники, обладающие оперативной памятью четвертого поколения (CMOS DDR4 SDRAM) с более высокими характеристиками плотности, Alliance Memory разработали два новых устройства с памятью 8 Гб. Благодаря увеличенной производительности памяти по сравнению с модулями предыдущего поколения – DDR3 SDRAM, AS4C1G8D4 и AS4C512M16D4 с корпусом FBGA отличаются пониженным энергопотреблением и более высокой скоростью передачи данных.

 

Основные характеристики и преимущества:

  • низкое энергопотребление – + 1,2 В (± 0,06 В);
  • корпус FBGA с шарами – 78 и 96;
  • 1 ГБ x 8 бит (AS4C1G8D4), 512 МБ x 16 бит (AS4C512M16D4) с группой до 16 банков памяти;
  • высокая тактовая частота –1333 МГц;
  • высокая скорость передачи данных – до 2666 Мбит/с;
  • коммерческий диапазон температур – от 0 °C до + 95 °C и индустриальный – от -40 °C до + 95 °C);
  • последовательная поочередная обработка пачек импульсов различной длины при выполнении команд чтения и записи данных BL8/BC4/BC4 или импульс 8 во время выполнения команды;
  • автоматически срабатывающая функция предварительной зарядки со схемой самосинхронизации в начале полного рабочего цикла строки;
  • удобные функции автоматического обновления или самообновления;
  • соответствие стандарту RoHS;
  • без содержания свинца и галогенов.

 

Области применения:

Портативная электроника, устройства 5G, настольные и производственные ПК, сетевые устройства, интернет вещей, производство оборудования для автомобильной, игровой и потребительской отраслей.


Источник: https://www.alliancememory.com/